Suchen

GaN-Halbleiter Forschungsprojekt „PowerBase“ – Energiesparchips der Zukunft

| Redakteur: Eilyn Dommel

Das europäische Forschungsprojekt „PowerBase“ entwickelt die nächste Generation von Energiesparchips. Unter der Leitung von Infineon Austria zusammen mit 39 Partnern aus neun Ländern und 87 Millionen Euro Volumen soll diese Zukunftstechnologie zur Marktreife geführt werden.

Firmen zum Thema

Wafer aus Galliumnitrid sollen bis 2018 in der Villacher Pilotanlage des Projekts PowerBase produziert werden.
Wafer aus Galliumnitrid sollen bis 2018 in der Villacher Pilotanlage des Projekts PowerBase produziert werden.
(Bild: Infineon Austria)

Leistungshalbleiter wandeln elektrische Energie, zum Beispiel die Netzspannung aus der Steckdose, im Ladegerät oder im Netzteil auf die Erfordernisse des jeweiligen Geräts um. Mit Galliumnitrid (GaN) als Halbleitermaterial sind höhere Durchbruchsfeldstärken und schnellere Schaltgeschwindigkeiten möglich als mit Silizium. Die Energieverluste, die meist in Form von Abwärme anfallen, werden so um bis zu 50 Prozent reduziert. Die höhere Leistungsfähigkeit ermöglicht es zudem, Bauteile wie Netzteile und Ladegeräte noch kleiner werden zu lassen. Auch für Beleuchtung und Photovoltaik bietet das Material vielversprechende Möglichkeiten.

Ergänzendes zum Thema
Forschungsteam: 39 Partner aus neun Ländern

In alphabetischer Reihenfolge: ams AG, Baumann GmbH, BESI Austria GmbH, BESI Netherlands BV, CISC Semiconductor GmbH, Carinthian Tech Research AG, Consejo Superior de Investigaciones Científicas – Instituto de Microelectrónica de Barcelona - Centro Nacional de Microelectrónica, Eltek AS, Epigan NV, For Optimal Renewable Energy Systems S.L., Fraunhofer Gesellschaft zur Förderung der Angewandten Forschung consisting of FhG-IWMH, FhG-THM and FhG-EMFT, Freiberger Compound Materials GmbH, Fronius Int. GmbH, Greenpower Technologies S.L., HAP Handhabungs- Automatisierungs- und Präzisionstechnik GmbH Dresden, Infineon Technologies AG (mit Niederlassungen aus Deutschland, Italien und Österreich), Interuniversitair Micro-Electronica Centrum, Ikerlan S. Coop., Kompetenzzentrum Automobil - und Industrieelektronik GmbH, Max Planck Institut für Eisenforschung GmbH, memsstar Limited, NaMLab GmbH, Nano Design, s.r.o, NanoFocus AG, Osram Opto Semiconductors, PacTech - Packaging Technologies GmbH, Plansee SE, Quantemol Limited, Siltronic AG, Slovenska technicka univerzita v Bratislave, SPTS Technologies Ltd, Technische Universität Dresden, Trymax Semiconductor Equipment BV, University of Bristol, Universität Graz, Universitetet i Oslo, Universita degli Studi di Padova

Bei der Entwicklung dieser energieeffizienten Halbleitertechnologie zur industriellen Marktreife bringt das Fraunhofer IWM in Halle vor allem seine Expertise in der Diagnostik ein. „Galliumnitrid bietet enorme Potenziale für die Leistungselektronik. Es sind aber noch viele Aufgaben zu lösen, um diese innovativen Halbleiterbauelemente zukünftig im industriellen Maßstab mit der nötigen Qualität und Langlebigkeit produzieren zu können“, sagt Matthias Petzold, Leiter des Fraunhofer-Centers für Angewandte Mikrostrukturdiagnostik CAM, das zum Fraunhofer IWM gehört.

„Wir freuen uns, gemeinsam mit Infineon und weiteren hochkarätigen europäischen Partnern im Projekt „PowerBase“ an dieser Aufgabe mitzuarbeiten. Aufgrund unserer Erfahrung und Kompetenz in der Material- und Zuverlässigkeitsforschung können wir wichtige Erkenntnisse beisteuern, sowohl für die Prozessierung der Galliumnitrid- Halbleiterwafer als auch für den nachfolgenden Aufbau von Bauelementen im Packaging.“

Die Finanzierung von „PowerBase“ erfolgt vor allem über Investitionen aus der Industrie, durch das ECSEL-Programm der EU sowie durch eine nationale Co-Förderung in Österreich, Belgien, Deutschland, Italien, Norwegen, Spanien, der Slowakei, Großbritannien und den Niederlanden. ECSEL steht dabei für „Electronic Components and Systems for European Leadership“ und ist als Private-Public-Partnership-Programm ein wichtiger Baustein der Initiative „Europa 2020“ der EU-Kommission.

Die Bundesregierung sieht in der europäischen Zusammenarbeit innerhalb der ECSEL-Projekte ein wichtiges Instrument, um die starken Kompetenzen in der Mikroelektronik in Deutschland im Rahmen ihrer Hightech-Strategie weiter auszubauen und fördert das Vorhaben aus Mitteln des Bundesministeriums für Bildung und Forschung. Zusätzlich engagiert sich auch der Freistaat Sachsen.

Dieser Beitrag ist urheberrechtlich geschützt. Sie wollen ihn für Ihre Zwecke verwenden? Kontaktieren Sie uns über: support.vogel.de (ID: 43476977)